ALLRESIST

关键词：ALLRESIST,德国ALLRESIST,ALLRESIST电子束抗蚀剂,ALLRESISTE-Beam Resist AR-N 7520.17 新品,ALLRESIST光刻胶,ALLRESISTAR-N 2210,ALLRESIST保护涂层,ALLRESIST保护涂层 AR-PC 504,ALLRESIST底部阻焊剂,ALLRESIST底部保护剂 AR-BR 5480

品牌介绍：ALLRESIST

ALLRESIST开发、生产和销售用于光学和电子束光刻的光刻胶，以及与这些光刻胶相关的用于制造电子元件的工艺化学品。ALLRESIST的独特卖点是根据客户需求开发光刻胶。凭借ALLRESIST高水平的专业知识和高度的灵活性，ALLRESIST能够在短时间内以经济高效的方式专门生产适合该技术的光刻胶。

产品类型：

电子束抗蚀剂

E-Beam Resist AR-N 7520.17 新品

• 薄膜厚度/4,000 rpm: 0,40 µm

• 分辨率较佳值：30纳米

• 对比度：8

• 闪点：42℃

• 储存6个月：10-18°C

特性

• 电子束、深紫外、i 线（以前称为 SX AR-N 7520/4）

• 书写时间短，对比度非常高

• 电子束和紫外线曝光 248-365 nm 之间的混合和匹配工艺，在紫外线范围内为负片

• 最高分辨率，工艺非常稳定（无 CAR）

• 耐等离子蚀刻，温度稳定可达 140 °C

• 酚醛树脂，有机交联剂

• 更安全的溶剂PGMEA

工艺参数

• 基质：Si 4“ 摇摆

• 软烤：85 °C, 90 秒, 热板

• 接触：Raith Pioneer，30千伏

• 发展：AR 300-47，60秒，22 ℃

光刻胶

AR-N 2210

• 薄膜厚度：4-10 µm

• 分辨率：1.0 µm

• 对比度：3

• 闪点：12℃

• 储藏温度：10-18℃

特性

• 宽带紫外、i 线、g 线

• AR-N 2210 用于垂直沟槽的均匀覆盖

• AR-N 2220 适用于 54° 斜率的蚀刻轮廓

• 附着力佳，表面光滑

• 酚醛清漆和萘醌二叠氮化物的组合

• 更安全的溶剂PGMEA以及甲基乙基酮

工艺参数

• 基质：Si 6英寸晶圆

• 回火：82 °C，查克

• 接触：Breitband（h-、g-、i-line）

• 发展：AR 300-44，4 分钟水坑

保护涂层

保护涂层 AR-PC 504

• 膜厚/4000rpm (μm)：2.2 微米

• 闪点（℃）：28 摄氏度

• 储存6个月（°C）：18 - 25 摄氏度

特性

• 对光不敏感 > 300 nm，无需黄光

• 蚀刻正面时保护晶圆背面

• 提供可靠的保护，防止搬运和运输过程中的机械损坏

• 温度稳定高达 250°C

• 不同分子量的 PMMA，503 另外染成深色

• 溶剂氯苯

底部阻焊剂

底部保护剂 AR-BR 5480

• 膜厚/4000rpm (μm)：0.5 微米

• 分辨率顶部光刻胶 2 L (μm)：1,5

• 闪点（℃）：30 摄氏度

• 储存6个月（°C）：10 - 18 摄氏度

特性

• 底部抗蚀剂不感光

• 宽带紫外线、i 线、g 线用于顶层光刻胶

• 用于升空结构

• 适用于 270 nm 至 IR 的光学透明结构，热稳定性结构最高可达 250 °C

• 水碱显影

• 温度稳定高达 140 °C（使用 AR-P 3500）

• 5400 共聚物甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸

• 3-更安全的溶剂PM（5400）、PGMEA（3500、4340）

工艺参数

• 基质：硅4英寸晶圆

• 回火：90 °C，1 分钟，热板

• 接触：g 线步进机 (NA: 0,56)

• 发展：AR 300-35，1:1，60 秒，22 ℃

产品应用领域：

工业、模拟半导体、发光二极管、 微机电系统、 太阳能光伏、 微流道和生物芯片、光电子器件、光子器件

此文章为深圳市极速工业科技有限公司为您列出 关键词：ALLRESIST,德国ALLRESIST,ALLRESIST电子束抗蚀剂,ALLRESISTE-Beam Resist AR-N 7520.17 新品,ALLRESIST光刻胶,ALLRESISTAR-N 2210,ALLRESIST保护涂层,ALLRESIST保护涂层 AR-PC 504,ALLRESIST底部阻焊剂,ALLRESIST底部保护剂 AR-BR 5480，德国ALLRESIST为深圳市极速工业科技优势经销品牌，欢迎您随时咨询我们