BENEQ

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品牌介绍：BENEQ

Beneq 是原子层沉积技术的发源地。1984 年，BENEQ建立了世界上首个使用 ALD 的工业生产。如今，BENEQ凭借研发（TFS 200、TFS 500、R2）、半导体器件制造（Transform TM）、3D 和批量生产（P400A、P800、P1500）、超快空间 ALD（C2R）和卷对卷 ALD（Genesis）产品引领市场。

Beneq 独特的开发服务简化了客户对新 ALD 工艺的采用和概念验证，而BENEQ的涂层服务通过外包较先进的 ALD 生产缩短了上市时间。BENEQ的工程师和专家团队致力于让研究人员能够使用 ALD 工具。

产品类型：

半导体

Transform 300

Beneq Transform 300 是一款高度通用的制造平台，专为 CIS、电源、微型 OLED/LED、先进封装和其他 MtM 应用的 IDM 和代工厂而设计。它是一种高度可配置的解决方案，可满足多种先进薄膜应用的需求，包括从栅极电介质到钝化和/或封装等。

多功能性

较大灵活性和能力。Beneq   Transform 300 是一款同时提供热 ALD（批量）和等离子 ALD（单晶圆）技术的 300 毫米 ALD 集群工具。

可配置

找到适合您的设置。Transform   300 平台旨在满足广泛的容量和应用需求，包括先进封装、芯片级封装和晶圆带应用。

生产率

行业极好标准。 该工具具有极好的可维护性和较短的 MTTCR。借助BENEQ专有的预热模块，您可以享受热批量 ALD 的较高吞吐量。

工厂就绪

Beneq Transform 300 与洁净室兼容，具有 SECS/GEM 通信功能，并符合较高的 SEMI S2 和 S8 标准。

设备规格

• 较大配置: 3个处理模块 & 1个预热器

• 预热能力: 有

• 传输模块: M2C5

• 冷却选项: 内置

• 基板装载: EFEM

• 基板尺寸: 300 mm，具有200 mm桥接能力

• 基板类型: 硅片、玻璃及其他

• 尺寸: 4400 x 4800 x 2250 mm

• 主机集成: SECS/GEM

吞吐量

• Al2O3–300°C–50nm: 12片/小时 – 1个PM

ALD 批处理模块

• 批量尺寸: 较多25 x 300 mm 硅片

• 安全标准: SEMI S2 和 S8

• ALD 工艺: Al2O3、HfO2、Ta2O5、TiO2、SiO2、ZnO、AlN、TiN

• 处理温度: 高达420°C

• 液体源管线: 3+1（可选）

• 氨气管线: 可选

• 臭氧气管线: 可选

• 过程控制: 基于配方；完全可配置

ALD 等离子体处理模块

• 单片尺寸: 300 mm，具有200 mm桥接能力

• 安全标准: SEMI S2 和 S8

• ALD 工艺: AlN、Si3N4、SiO2、Al2O3

• 处理温度: 高达350°C

• 液体源管线: 3+1（可选）

• 等离子体气体管线: N2、O2、H2（可选）

• 等离子体预处理: 有

• 氨气管线: 可选

• 臭氧气管线: 可选

• 过程控制: 基于配方；完全可配置

批量生产

P400A

Beneq P400A 专为以优化的批次大小涂覆不同类型的基材而设计 - 足够大以提供显着的产能，但又足够小以在批次内保持出色的均匀性和较短的循环时间。BENEQ的客户将 P400A 用于光学涂层以及在玻璃或金属板上使用 ALD 的应用。

批量 ALD

尺寸恰到好处。Beneq   P400A 通常用于批量处理直径从 20 毫米到 300 毫米的基板。批量设置可针对特定零件、板材、晶圆或其他基板进行优化。

平面基板的总批次尺寸较大可达8m 2。

设计和设置

每位客户都是数一数二的。 让BENEQ选择和设计较佳的工具设置和 ALD 工艺，以适合您的基材和应用。

P400A 的多功能设计使其能够轻松地在不同的反应室和基片支架之间切换。这意味着您可以使用相同的 ALD 系统顺利地从研发过渡到批量生产。Beneq 提供量身定制的应用程序开发以及试生产支持，因此您可以在建立自己的 ALD 制造能力之前进行测试。

厚膜堆栈

适用于厚膜堆栈（> 1 μm）的理想 ALD 工具。 大批量厚膜堆栈需要大量前体，同时会产生大量残留物和副产品。为了应对这些挑战，P400A 配备了高容量前体源以及前体失活和过滤系统。

Beneq P400A 是经过 35 多年工业生产研发的成果，拥有大批量 >1µm 厚度的薄膜堆栈，可全天候可靠运行。

前体

氧化物、氮化物、硫化物、金属等。 选择正确的工艺和前体材料可能很棘手。何时使用高温，何时使用低温？前体材料使用安全吗？

请BENEQ的专家帮助您找到适合您应用的材料或材料组合。Beneq P400A 可从室温升至 550°C，并可轻松处理气态、液态和固态前体，包括有毒、自燃和腐蚀性前体材料。

维护

维护更简单，频率更低。 沉积厚膜堆栈的 ALD 工具通常需要每月清洁一次。P400A 的高容量泵管路过滤器使该工具无需维护即可运行数月，即使在大批量生产中也是如此。

由于需要冷却，更换 ALD 反应室可能需要一整天的时间，但 P400A 可将这一时间缩短至几分钟。其设计允许操作员简单地拉出反应室和其他需要清洁的部件。

多腔设计

避免因维护而导致的不必要的停机。Beneq   P400A 使用多个反应室，每次运行之间都会连续切换。这可让您较大限度地减少与维护相关的生产停机时间。

预热烤箱

Beneq 专有预热器。 BENEQ的可选预热炉可缩短加热时间，进一步提高产量。   

基板装载

• 基板类型: 硅片、玻璃和金属板、3D零件

• 基板尺寸: 370 x 470 mm

• 基板装载方式: 手动

生产

• 用途: 生产

热 ALD

• 工艺类型: 热 ALD

• 集成方式: 独立式

• 主要尺寸: 2400 x 930 x 2420 mm

研究

TFS 200

Beneq TFS 200 是迄今为止专为学术研究和企业研发而设计的较灵活的 ALD 研究平台。Beneq TFS 200 经过专门设计，可较大程度地减少多用户研究环境中可能发生的交叉污染。大量可用选项和升级意味着您的 Beneq TFS 200 将与您一起成长，以满足较苛刻的研究要求。

Beneq TFS 200 代表的技术解决方案能够在晶圆、平面物体、多孔块体材料和具有极高纵横比 (HAR) 特征的复杂 3D 物体上沉积优质涂层。

Beneq TFS 200 标配直接和远程等离子增强沉积 (PEALD) 选项。等离子体为电容耦合 (CCP)，这是当今的行业标准。CCP 等离子选项可为较大 200 毫米的基板提供直接和远程等离子增强 ALD (PEALD)，面朝上或面朝下。

• 工艺周期通常小于 2 秒。在特定情况下甚至小于 1 秒

• 高纵横比 (HAR) 适用于具有通孔和多孔基板的结构

• 冷壁真空室，可快速加热和冷却

• 真空室内的辅助入口可以实现等离子体、原位诊断等。

• 负载锁可用于快速更换基板以及与其他设备集成。

设备规格

工艺类型

• 热 ALD

• 等离子体增强 ALD (PEALD)

• 正面和背面

用途

• 生产

• 研发

基板类型

• 较大 200 mm 硅片

• 较大 200 x 200 mm 3D 零件

• 粉末

基板装载

• 自动

• 手动

主要尺寸

• 整体尺寸: 1325 x 600 x 1298 mm

集成方式

• 手套箱

• 负载锁

• 集群

基板温度范围

• 25 – 500 °C

反应室类型及尺寸

• 单片反应室: Ø200 × 18 mm

• 单片等离子体反应室: Ø200 × 18 mm

• 3D/批量硅片反应室: Ø200 × 95 mm

• 定制: 根据要求

气体管线

• 较多 8 条

液体源 (+5 °C 至环境温度)

• 较多 4 条

热源

• HS 300 (环境温度至 300 °C): 较多 4 条

• HS 500 (环境温度至 500 °C): 较多 2 条

等离子体选项 (PEALD)

• 功率: 300 W

• 类型: 电容耦合等离子体 (CCP)

流化床颗粒涂层选项

• 颗粒尺寸 (较小): 100 nm – 1 µm

• 样品体积 (较大): 50 – 75 cm³

• 温度 (较大): 450 °C

控制系统

• PLC 控制与 PC 用户界面

主要尺寸（ALD 系统）

• 长 × 宽 × 高: 1325 × 600 × 1298 mm

主要尺寸（电柜）

• 长 × 宽 × 高: 1000 × 300 × 1600 mm

空间 ALD

C2R

超快速高精度空间 ALD 镀膜

Beneq C2R 是BENEQ集群兼容设备系列的空间 ALD 成员。

Beneq C2R 将等离子增强 ALD (PEALD) 工艺提升到全新水平 - PEALD 首次可用于大批量生产。由于采用等离子增强旋转 ALD 工艺，Beneq C2R 非常适合厚 ALD 膜，厚度可达数微米。

技术亮点

• 超高沉积率，高达每小时几微米

• 批量 PEALD 工艺，较多可处理 7 片 200 毫米晶圆

• 适用于厚度不超过 30 毫米的镜头和其他 3D 基底

• 膜厚均匀性高，适合要求严格的光学镀膜应用

• 可配备负载锁或晶圆自动化装置。

自动化选项

Beneq C2R 具有基于 Brooks Automation 值得信赖的 MX400 传输模块的自动化选项。自动化产品包括：

• 基于 Brooks MX400 集群的模块

• 双臂真空机器人

• 样品对准器

• 可选预热和冷却

规格

• 工艺类型: 旋转空间等离子体、增强型 ALD、单面涂层

• 用途: 生产

• 基板类型: 较大 200 mm 硅片

• 基板装载: 自动、手动

• 主要尺寸: 3770 x 1340 x 1280 mm

• 集成方式: 集群

• 工艺温度范围: 25 – 200 °C

• 批量容量: 7 片 200 mm 硅片

• 较大旋转速度: 200 rpm

• 沉积速率: 较高 1.5 µm/h

• 等离子体气体管线: 较多 3 条

• 前驱体管线 (环境温度至 120 °C): 较多 4 条

• 等离子体类型: 直流等离子体

• 控制系统: PLC 控制与 PC 用户界面

• 过程控制: 基于配方；完全可配置

产品应用领域：

光学和光电子应用 、玻璃、 半导体行业、薄膜应用 、化学、化工

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